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纳芯微推出基于电容隔离技术的隔离误差放大器NSI3190

高可靠、高性能、低成本,打破模拟电源小型化瓶颈


国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微电子”)宣布正式量产基于电容隔离技术的隔离误差放大器NSi3190。NSi3190采用纳芯微高性能高可靠性电容隔离技术,创新地解决了传统光耦不耐高温、精度差、系统标定成本高昂等问题,彻底打破模拟电源系统小型化瓶颈。


对于隔离式开关电源,传统的误差放大器大多采用光耦方案,光耦反馈可以应对绝大多数电源应用场景,但该方案有其局限性——电源光耦反馈模块工作温度通常不超过100℃,传输特性相对较慢,传输延时会随时间增加而变长,环路响应慢;此外,在工业应用场景,光耦反馈方案精度较为一般。纳芯微推出的基于电容隔离技术的高可靠性隔离误差放大器NSi3190具有高带宽、高精度、高可靠性等特性,可满足汽车级工作温度要求(−40°C~+125˚C),NSI3190系列能够在单芯片上同时支持电压型输出和电流型输出,可完美替代传统的光电耦合器的方案。

纳芯微推出基于电容隔离技术的隔离误差放大器NSI3190.png

图1. 纳芯微隔离误差放大器NSi3190可解决传统光耦在电源应用中的痛点


NSi3190提供400kHz的带宽,相比于光耦方案具有更快的环路响应和更佳的瞬态响应,同时允许开关电源在更高的开关频率下工作,从而有效减小输出电感的体积。NSi3190内部的1.225 V基准电压源在全温度范围内能够保证±1%的精度,比传统光耦初始精度更高,同时温漂也更小。


NSi3190主要特性:

  • 0.5% 初始精度

  • 高达3000VRMS的隔离电压

  • 带宽:400kHz

  • 电源电压范围:

     VDD1: 4V to 20V

     VDD2: 4V to 20V

  • 基准电压:1.225V

  • CMTI:100kV/μs

  • 兼容电压型输出和电流型输出

  • 低功耗

  • 宽工作温度范围:-40℃~125℃

  • 更高结温:150℃

  • 符合RoHS要求的封装:SSOP-16



为了能够兼容多种类型的PWM控制器,NSi3190支持多种输出模式,包括两路电压型输出EAOUT1、 EAOUT2和一路电流型输出IOUT。针对COMP脚是电流驱动型的PWM控制器,NSi3190提供一路电流型输出IOUT可直接驱动,而无需在片外增加三极管,将电压信号转换为电流信号,可完美替代用光耦晶体管侧输出电流直接驱动COMP脚的应用。

NSi3190适用于源边控制的线性反馈电源系统,以及需求为低成本、精度>3%左右的隔离电压检测应用,例如直流母线电压检测、AC进线电压检测。这类需求广泛存在于工业电机驱动以及AC/DC 和 DC/DC电源应用方面,详细内容可至纳芯微电子官网www.novosns.com下载相关应用手册。