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半桥电路有哪些驱动问题?

5G时代的到来,带给我们的是生活上的便利,国内把5G应用于民用方面,其实有点浪费,应该在工业产品线上运用才能突显它的功能。而在工业半导体芯片技术领域,国内芯片水平在短时间内,无法和一些大厂竞争,想要缩短差距,就需要拉动内需,华为、中芯国际这些品牌已经在着手研发了,这种技术差距会逐步被缩短。

在日常使用过程中,MOS开关电源需要驱动电路发动,而在全桥和半桥驱动之间,半桥驱动以它功能上的优势,被广泛的运用。虽说如此,也有它的不足的地方,就相关的问题,小编也整理了一些常见的。

半桥电路的驱动问题:

1、原边线圈过负载限制:要给原边的功率管提供独立的电流限制;

2、软启动:启动时,要限制脉宽,使得脉宽在启动的最初若干个周期中慢慢上升;

3、磁的控制:控制晶体管驱动脉冲宽度相等,要使正反磁通相等,不产生偏磁;

4、防止直通:要控制占空比上限缩小;

5、电压的控制和隔离:电路要闭环控制,隔离可以是光电隔离器、变压器或磁放大器等;

6、过压保护:通常是封闭变换器的开关脉冲以进行过压保护;

7、电流限制:电流限制安装在输入或输出回路上,在发生短路时候起作用;

8、输入电压过低保护:规定只有在发挥良好性能的足够高的电压下才能启动;

9、此外,还要有合适的辅助功能:如浪涌电流限制和输出滤波环节等。

找出相应的问题,对于今后在这一块上有比较明确的认识,在选择上更加的准确。