QQ在线咨询
咨询热线
021-5766 0583
手机号
180-1627-3695
阿里旺旺

点这里给我发消息

您好!欢迎访问美镒电子(上海)有限公司,我们竭诚为您服务!

电子元器件供应和技术服务商

BOM配单 国产替代 全新原装 品牌代理 上海发货

服务咨询热线:

13122500018

潼关mos驱动电流一般多大?

大电流MOSFET,一般情况下,IC无法提供足够的电流而增加驱动器,选择驱动器需要考虑到的重要的参数,还有一套计算公式,具体该如何推算,给大家演示一下。


 

开通电流

Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr,带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA 

关断电流 

Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf,带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。

于是乎得出这样的结论,驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗?

这里必须要注意这样一个条件细节,RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。

应该怎么计算才对呢?其实应该是这样的,根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t,获得了具体MOS管Qg数据,和我们线路的电流能力,就可以获得Ton= Qg/I。比如45N50,它在Vgs=10V,VDS=400V,Id=48A的时候,Qg=105nC。如果用1A的驱动能力去驱动,就可以得到最快105nS的开关速度。

当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试MOS管的过冲波形。在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前面串一个10Ω左右的电阻(根据测试波形调整参数)。

这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度,而不是用栅极电容来计算。

计算驱动电流,能够更清楚的知道它的工作原理,对于维护和使用来说,具有一定的帮助,延长使用寿命,对于产品来说,还是比较关键的。