产品描述：

该功率 MOSFET 使用 Maple semi 的

先进的平面条纹DMOS技术。

这种先进的技术经过特别定制

更大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关

性能，并承受高能量脉冲

雪崩和换向模式。 这些设备很好

适用于高效率开关模式电源，

基于半桥拓扑的有源功率因数校正

特征：

- 9 A，500V，RDS(on) 典型值。 = 0.8Ω@VGS = 10V

- 低栅极电荷（典型值为 15.5nC）

- 高坚固性

- 快速切换

- 雪崩测试

- 改进的 dv/dt 能力