一般描述:

该功率 MOSFET 使用 Maple semi 的先进的平面条纹DMOS技术。

这种先进的技术是专门为最小化通态电阻，提供卓越的开关性能，

并承受高能量脉冲雪崩和换向模式。 这些设备很好适用于高效率开关模式电源，

基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

特征：

- 5A，500V，RDS(on) 典型值。 = 1.35Ω@VGS = 10 V

- 低栅极电荷（典型值为 10 nC）

- 高坚固性

- 快速切换

-  雪崩测试

- 改进的 dv/dt 能力