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072023-04
寻DGD2103M替代料？数明SLM2103S
特征 为引导程序设计的浮动通道活动 完全工作至+600 V 对负瞬态电压的耐受性，dV/dt有免疫力 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 欠压锁定 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容 交叉导通防止逻辑 两个信道的匹配传播...…
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072023-04
寻DGD2108替代料？数明SLM2103S
特征 为引导程序设计的浮动通道活动 完全工作至+600 V 对负瞬态电压的耐受性，dV/dt有免疫力 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 欠压锁定 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容 交叉导通防止逻辑 两个信道的匹配传播...…
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072023-04
寻IRS2108替代料？数明SLM2103S
特征 为引导程序设计的浮动通道活动 完全工作至+600 V 对负瞬态电压的耐受性，dV/dt有免疫力 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 欠压锁定 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容 交叉导通防止逻辑 两个信道的匹配传播...…
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072023-04
寻IR2103S替代料？数明SLM2103S
特征 为引导程序设计的浮动通道活动 完全工作至+600 V 对负瞬态电压的耐受性，dV/dt有免疫力 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 欠压锁定 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容 交叉导通防止逻辑 两个信道的匹配传播...…
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072023-04
寻ID5S605替代料？数明SLM2101S
600V半桥驱动器产品摘要 VOFFSET更大600 V。 IO+/-（最小）130毫安/270毫安 10伏-20伏 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒 延迟匹配60 ns一般说明SLM2101S是一种高电压、高速电源MOSF...…
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072023-04
寻ID5S609替代料？数明SLM2101S
600V半桥驱动器产品摘要 VOFFSET更大600 V。 IO+/-（最小）130毫安/270毫安 10伏-20伏 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒 延迟匹配60 ns一般说明SLM2101S是一种高电压、高速电源MOSF...…
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072023-04
寻AG2101替代料？数明SLM2101S
600V半桥驱动器产品摘要 VOFFSET更大600 V。 IO+/-（最小）130毫安/270毫安 10伏-20伏 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒 延迟匹配60 ns一般说明SLM2101S是一种高电压、高速电源MOSF...…
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072023-04
寻AG2106替代料？数明SLM2101S
600V半桥驱动器产品摘要 VOFFSET更大600 V。 IO+/-（最小）130毫安/270毫安 10伏-20伏 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒 延迟匹配60 ns一般说明SLM2101S是一种高电压、高速电源MOSF...…
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072023-04
寻AG2008A替代料？数明SLM2101S
600V半桥驱动器产品摘要 VOFFSET更大600 V。 IO+/-（最小）130毫安/270毫安 10伏-20伏 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒 延迟匹配60 ns一般说明SLM2101S是一种高电压、高速电源MOSF...…
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072023-04
寻M81736替代料？数明SLM2101S
600V半桥驱动器产品摘要 VOFFSET更大600 V。 IO+/-（最小）130毫安/270毫安 10伏-20伏 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒 延迟匹配60 ns一般说明SLM2101S是一种高电压、高速电源MOSF...…
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