600V半桥驱动器

产品摘要

 VOFFSET更大600 V。

 IO+/-（最小）130毫安/270毫安

 10伏-20伏

 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒

 延迟匹配60 ns

一般说明

SLM2101S是一种高电压、高速电源

MOSFET和IGBT驱动器。专有HVIC和

锁存免疫CMOS技术使

加固整体结构。逻辑输入

与标准CMOS或LSTL输出兼容，

低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有

设计用于

最小驱动器交叉传导。漂浮

通道可用于驱动N通道功率

高侧配置中的MOSFET或IGBT

其工作电压高达600伏。

600V半桥驱动器

产品摘要

 VOFFSET更大600 V。

 IO+/-（最小）130毫安/270毫安

 10伏-20伏

 吨/关（典型值）160纳秒/220纳秒

 延迟匹配60 ns

一般说明

SLM2101S是一种高电压、高速电源

MOSFET和IGBT驱动器。专有HVIC和

锁存免疫CMOS技术使

特征

 为引导程序设计的浮动通道

活动

 完全工作至+600 V

 对负瞬态电压的耐受性，dV/dt

有免疫力

 栅极驱动电源范围从10 V到20 V

 欠压锁定

 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容

 交叉导通防止逻辑

 两个信道的匹配传播延迟

 输出与输入同相

 符合RoHS

 SOP8程序包