MOS管一般不需要电流，只要一个GS电压高于一定的峰值就够了，在MOS管的结构中，可以了解到在GS和GD间存在电容，而驱动就是对电容的放电。而驱动电压更大值是多少，大概在什么范围内？

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。

1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。

3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。

Vod1=Vgs-Vth；

Vod2=Vds-Vth；

如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。MOS管驱动电压阈值电压受衬偏bai效应的影响，即衬底偏置电位，du零点五微米工艺zhi水平下一阶mos spice模型的标准dao阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。

MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。 

在运行过程中，要了解MOS管驱动电压的更大值，这样就能从中推断出相应的原理，尤其在数据上更能够体现的明显。