一般说明

SLM2103S是一种高压、高速电源MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。

专有HVIC和锁存免疫CMOS技术支持坚固的单片建设逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V

思维方式输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计用于最小驾驶员交叉传导。浮动通道可用于

驱动N沟道功率MOSFET或IGBT高压侧配置，工作电压高达600V。

特征

 为引导设计的浮动通道活动

 完全工作至+600 V

 负瞬态电压容差，dV/dt有免疫力

 栅极驱动电源范围从10 V到20 V

 欠压锁定

 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容

 交叉传导防止逻辑

 两个信道的匹配传播延迟

 内部设置死区时间

 高侧输出与HIN输入同相

 低压侧输出与林输入

 符合RoHS标准

 SOIC-8封装