一般说明

SLM2101S是一种高压、高速电源MOSFET和IGBT驱动器。专有HVIC和

锁存免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，

低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计用于最小驱动器交叉传导。浮动

通道可用于驱动N通道功率高侧配置中的MOSFET或IGBT其工作电压高达600V。

特征

 为引导设计的浮动通道活动

 完全工作至+600 V

 负瞬态电压容差，dV/dt有免疫力

 栅极驱动电源范围从10 V到20 V

 欠压锁定

 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容

 交叉传导防止逻辑

 两个信道的匹配传播延迟

 输出与输入同相

 符合RoHS标准

 SOIC-8封装