产品概要

 VOFFSET 更大 600 V。

 IO+/- 130 毫安/270 毫安

 VOUT 10 V - 20 V

 ton/off（典型值）680 ns/150 ns

 死区时间（典型值） 520 ns

一般说明

SLM2103S 是一款高压、高速电源

具有相关高侧和低侧参考输出通道的 MOSFET 和 IGBT 驱动器。

专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS

技术使坚固耐用的单片

建造。逻辑输入兼容

标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至 3.3 V

逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流

缓冲级设计用于最小驱动交叉

传导。浮动通道可用于

驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT

工作电压高达 600 V 的高端配置。

特征

 为引导程序设计的浮动通道手术

 完全运行至 +600 V

 耐受负瞬态电压，dV/dt免疫

 栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V

 欠压锁定

 3.3 V、5 V 和 15 V 逻辑兼容

 交叉传导预防逻辑

 两个通道的匹配传播延迟

 内部设定死区时间

 高边输出与 HIN 输入同相

 低端输出异相林输入

 符合 RoHS 标准

 SOIC-8 封装