价 格 | ¥ |
起批量 | ≥1颗 |
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更新日期2022-08-23 |
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产品概要
VOFFSET 更大 600 V。
IO+/- 130 毫安/270 毫安
VOUT 10 V - 20 V
ton/off(典型值)680 ns/150 ns
死区时间(典型值) 520 ns
一般说明
SLM2103S 是一款高压、高速电源
具有相关高侧和低侧参考输出通道的 MOSFET 和 IGBT 驱动器。
专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS
技术使坚固耐用的单片
建造。逻辑输入兼容
标准 CMOS 或 LSTTL 输出,低至 3.3 V
逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流
缓冲级设计用于最小驱动交叉
传导。浮动通道可用于
驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT
工作电压高达 600 V 的高端配置。
特征
为引导程序设计的浮动通道手术
完全运行至 +600 V
耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
欠压锁定
3.3 V、5 V 和 15 V 逻辑兼容
交叉传导预防逻辑
两个通道的匹配传播延迟
内部设定死区时间
高边输出与 HIN 输入同相
低端输出异相林输入
符合 RoHS 标准
SOIC-8 封装