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| 价 格 | ￥面议 |
| 起批量 | ≥1颗 |
| 产品品牌美浦森 |
| 封装形式D/I-PAK |
| 发货地址上海市松江区 |
| 更新日期2022-09-14 |
全国订购热线：13122500018
一般说明
该功率 MOSFET 使用 Maple semi 的
先进的平面条纹DMOS技术。
这种先进的技术经过特别定制
更大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关
性能，并承受高能量脉冲
雪崩和换向模式。 这些设备很好
适用于高效率开关模式电源，
基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
特征
- 1.9A，650V，RDS(on)typ = 3.45Ω@VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值为 5.5nC）
- 高坚固性
- 快速切换
- 雪崩测试
- 改进的 dv/dt 能力
